(서울=뉴스1) 최동현 기자 = 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 올해 1분기 연구개발(R&D) 및 설비투자(CAPEX) 비용을 전년 동기보다 크게 늘린 것으로 나타났다.

15일 공시된 분기 보고서에 따르면 삼성전자는 올 1분기 연구개발비로 9조 348억 원, 시설투자비로 11조 9983억 원을 각각 집행했다.

연구개발 비용은 전년 동기 대비 15.53% 증가한 규모로 역대 1분기 기준 최대 투자다. 같은 기간 시설투자액은 6.1% 증가했다.

특히 반도체 사업을 하는 디바이스솔루션(DS) 부문 시설투자액만 10조 9480억 원을 집행했다. 이는 전년 동기(9조 663억 원)보다 13.3% 증가한 수치다.

삼성전자는 "메모리 차세대 기술 경쟁력 강화 및 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 추진했다"며 "시스템 반도체는 어드밴스드 노드 생산 능력(CAPA) 확보를 위한 투자도 진행 중"이라고 설명했다.

SK하이닉스는 연구개발비와 시설투자액을 전년 동기 대비 최대 두 배 늘렸다. 고대역폭메모리(HBM) 붐을 타고 역대 최대 실적 행진을 올리는 만큼, 공격적 투자로 글로벌 HBM 수요에 대응하겠다는 전략으로 풀이된다.

SK하이닉스는 올 1분기 연구개발비로 1조 5440억 원, 시설투자액으로 5조 8840억 원을 집행했다. 전년 동기 대비 연구개발비는 39.2%, 시설투자액은 99.9% 급증한 규모다.

SK하이닉스는 "수요 대응을 위한 필수 투자와 함께 용인 1기 팹(fab·반도체 생산공장)과 청주 M15X 등 미래 인프라에 대한 투자를 진행해 1분기 캐펙스가 전년 동기 대비 증가했다"며 "미래 성장동력이 될 R&D 투자도 지속 확대하고 있다"고 말했다.

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