(서울=뉴스1) 최동현 기자 = SK하이닉스(000660)가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹을 본격 착공했다.

SK하이닉스는 애초 다음달 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었지만, 용인시가 지난 21일 신속하게 건축 허가를 내주면서 착공 시점을 앞당겼다.

용인 반도체 클러스터는 약 125만 평(415만㎡) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만 평, 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정으로, 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.

SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터를 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 인공지능(AI) 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응해 중장기 성장 기반을 주도한다는 방침이다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다.

SK하이닉스는 "클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정"이라고 설명했다.

최태원 SK그룹 회장은 지난 2023년 9월 부지 조성 작업 중인 용인 클러스터 현장을 찾아 "용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"라며 "지금까지 해오던 대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다"고 강조한 바 있다.

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